東京高等裁判所 平成１０年（行ケ）１７６号 判決
大阪府門真市大字門真１００６番地
原告
松下電器産業株式会社
代表者代表取締役
森下洋一
訴訟代理人弁理士
岩橋文雄
永野大介
藤江和典
東京都千代田区霞が関３丁目４番３号
被告
特許庁長官 伊佐山建志
指定代理人
今野朗
辻徹二
井上雅夫
小池隆
主文
特許庁が平成９年異議第７２４７９号事件について平成１０年４月１０日にした決定を取り消す。
訴訟費用は被告の負担とする。
事実及び理由
第１ 原告の求めた裁判
主文同旨の判決
第２ 特許庁における手続の経緯
原告は、昭和６２年１２月１７日、名称を「半導体装置の製造方法」とする発明（本件発明）につき特許出願（昭和62年特許願第319441号）をし、平成８年９月５日に特許第2558765号として設定登録されたところ、平成９年５月26日に特許異議の申立てがあり、平成９年異議第72479号として審理された結果、平成10年４月10日、別紙１の理由により「特許第2558765号の特許を取り消す。」との決定（取消決定）があり、その謄本は平成10年５月11日原告に送達された。
原告は、平成10年７月２日、本件発明につき訂正審判の請求をし、平成10年審判第39049号として審理された結果、同年９月９日、別紙２の理由により「本件特許発明の明細書を上記審判請求書に添付された訂正明細書のとおり訂正することを認める」旨の審決（訂正審決）があり、その謄本は同年９月21日原告に送達され、訂正審決は既に確定している。
第３ 原告主張の決定取消事由
取消決定は、本件発明の要旨を訂正前の特許請求の範囲第１項に記載されたとおりのものと認めた上、引用刊行物記載の発明と対比、判断し、本件発明に係る特許は特許法２９条２項、１１３条２号に該当すると判断したが、訂正審決があったことにより、本件発明の要旨は訂正後の特許請求の範囲第１項記載のものとなっており、取消決定はその根拠を失ったので、取り消されるべきである。
第４ 当裁判所の判断
取消決定は、本件発明の要旨を、訂正前の特許請求の範囲第１項に記載されたとおりのものと認めたが、後に確定した訂正審決に示されているように、本件訂正は、本件発明の特許請求の範囲第１項を減縮するものであり、適法な訂正であるから、本件発明の要旨は、訂正後の特許請求の範囲第１項記載のとおりとなる。したがって、取消決定は、本件発明の要旨を結果的に誤って認定して引用刊行物記載の発明との対比判断をしたことになり、この誤りは取消決定の結論に影響を及ぼすことが明らかである。
よって、取消決定は取り消されるべきである。
（平成１０年１月２８日口頭弁論終結）
（裁判長裁判官 永井紀昭 裁判官 塩月秀平 裁判官 市川正巳）
（別紙１）
（取消決定の理由）
１．手続きの経緯
本件特許２５５８７６５号に係る主な手続の経緯は、以下の通りである。
特許出願 昭和６２年１２月１７日
特許設定登録 平成８年９月５日
特許異議申立て 平成９年５月２６日
取消理由通知 平成９年８月１９日
（平成９年９月１２日発送）
訂正請求 平成９年１１月１１日
訂正拒絶理由通知 平成９年１２月２日
（平成９年１２月１６日発送）
意見書及び手続補正 平成１０年２月３日
２．訂正の適否について
２．１ 手続補正の適否
平成１０年２月３日付けでなされた手続補正（以下、「手続補正」という。）において、平成９年１１月１１日付け訂正請求書に添付された訂正明細書の請求の範囲請求項２～４を、
請求項２
アニールを赤外線輻射によって行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
請求項３
アニールを高エネルギービーム照射によって行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
請求項４
高エネルギービームが、紫外光、レーザービーム、イオンビームもしくは電子ビームであることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の半導体装置の製造方法。
とするものである。
訂正請求の補正は請求項の削除或いは誤記の訂正のみが許されるところ、当該補正は訂正明細書の請求の範囲に記載されていない「アニールを高エネルギービーム照射によって行う」点を付加するものであり、また、請求項４についても、請求項４で引用する補正された請求項３が上述のとおりであるから、上記手続補正は、請求項の削除あるいは誤記の訂正のいずれにも該当しないので、訂正請求の要旨を変更するものであり、特許法１２０条の４第３項で準用する同法１３１条２項の規定に違反するので、上記補正は認められない。
２．２ 訂正請求にかかる訂正の適否
平成９年１１月１１日付けでなされた訂正請求は、特許請求の範囲請求項１～４の記載を、
請求項１
表面に酸化膜を有する半導体基板上に、還元性を有する元素を含む雰囲気中において、前記元素を含む薄膜を堆積する工程と、前記薄膜堆積後に前記半導体基板および前記薄膜に対してアニールを行い、前記酸化膜の還元除去行程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項２
前記アニールを赤外線輻射、あるいは紫外光、レーザービーム、イオンビームもしくは電子ビームの照射によって行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
請求項３
前記薄膜を堆積する工程において、前記薄膜中の還元性を有する元素の含有量を２×１０19～１×１０20ｃｍ-3になすことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
請求項４
前記アニールを不活性ガス中で行うことを特徴とする特許請求の範囲第１～３項のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
とするものである。
２．３ 訂正の適否
２．３．１ 請求項２について
訂正された請求項２記載の「前記アニールを赤外線、あるいは紫外光、レーザービーム、イオンビームもしくは電子ビームの照射によって行う」については、訂正前の請求項２の対応する記載は「アニールを赤外線輻射によって行う」であり「アニールを紫外光、レーザービーム、イオンビームもしくは電子ビームの照射によって行う」点はアニールのための照射手段をさらに追加したものであり、訂正前の請求項２を拡張するものであるから、訂正された請求項２は、特許請求の範囲の減縮、誤記または誤訳の訂正及び明りょうでない記載の釈明のいずれにもに該当せず、特許法第１２０条の４第２項の規定に違反する。
２．３．２ 請求項３について
訂正された請求項３記載の「還元性を有する元素の含有率を２×１０19～１×１０20ｃｍ-3になすこと」については、還元性を有する元素の含有率を上記のように特定することにより、新たな作用、効果を有するものとなり、訂正前の請求項３を変更するから、訂正された請求項３は特許法第１２０条の４第３項で準用する特許法第１２６条第３項の規定に違反する。
２．３．３ 請求項４について
訂正された請求項４については、請求項４で引用する訂正された請求項２、３がそれぞれ、特許法第１２０条の４第２項、特許法第１２０条の４第３項で準用する特許法第１２６条第３項の規定に違反するので、訂正された請求項４は同規定に違反する。
２．４ 訂正の適否の判断
以上のとおりであるから、本件訂正請求は、認められない。
３．特許異議の申立てについて
３．１ 請求の範囲に係る発明について
本件特許請求の範囲に係る発明（以下、「本件発明」という。）の要旨は、明細書及び図面の記載からみて、その請求の範囲請求項１に記載された次のとおりのものである。
「還元性を有する元素を含む雰囲気中において半導体基板上に薄膜を堆積する工程と、前記薄膜堆積後に前記半導体基板および前記薄膜に対してアニールを行う工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
３．２ 引用刊行物
特開昭６１－１５８１７８号公報
上記刊行物１には、「半導体装置のベース領域とポリシリコンとの境界に生ずる薄い絶縁層とポリシリコン膜との抵抗を低くするために、ポリシリコン膜の成長（該ポリシリコン膜の成長は、本件発明の半導体基板に薄膜を堆積させる点に相当する。）後の工程で水素（該水素は、本件発明の還元性を有する元素に相当する。）雰囲気中で熱処理する（該熱処理は、本件発明のアニールに相当する。）ことにより、酸化膜を還元する」（上記公報［作用］の項）旨記載されている。
したがって、上記刊行物１には、半導体基板に薄膜を堆積させ、還元性を有する元素を含む雰囲気中においてアニールすることが記載されている。
３．３ 対比・判断
本件発明は、「還元性を有する元素を含む雰囲気中において半導体基板上に薄膜を堆積する工程」（以下、「第１の工程」という。）、「薄膜堆積後に前記半導体基板および前記薄膜に対してアニールを行う工程」（以下、「第２の工程」という。）を有する半導体装置の製造方法であるが、還元性を有する元素を含む雰囲気で半導体基板上に薄膜を堆積した場合必ず当該薄膜中に還元性を有する元素がとり込まれるとはいえないから、第１の工程においては、堆積された薄膜中に還元性を有する元素が導入されない場合も含まれ、また、第２の工程は、還元性を有する元素を含む雰囲気においてアニールすることを排除していないことを考慮して本件発明と引用刊行物記載の発明とを対比すると、両者は、還元性を有する元素を含まない薄膜を堆積した半導体基板を、還元性を有する元素を含む雰囲気においてアニールする点において一致し、本件発明が、「還元性を有する元素を含む雰囲気中において半導体基板上に薄膜を堆積する工程」、すなわち前記第１の工程を有するのに対し、上記引用刊行物記載の発明では、半導体基板上に薄膜を堆積する工程において、還元性を有する元素を含む雰囲気を有していない点で相違する。
ところで、上述のように本件発明において半導体基板上の酸化膜を還元するために還元性を有する元素を含む雰囲気でアニールをする場合を排除しないのであるから、半導体基板上に薄膜を堆積する工程において還元性を有する元素を含む雰囲気を用いる程度のことに格別の意義が認められず、この点は必要に応じて当業者が容易に想到しうるものであるので、本件発明は、上記刊行物記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものである。
したがって、本件発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
４．むすび
以上のとおりであるから、本件請求の範囲に係る特許は、特許法第１１３条第２号に該当するので、取り消すべきものである。
よって、結論のとおり決定する。
（別紙２）
（訂正審決の理由）
１．特許第２５５８７６５号（昭和６２年１２月１７日出願、平成８年９月５日設定登録。）に関する本件訂正審判請求の要旨は、明細書を審判請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正しようとするものである。
訂正事項
特許請求の範囲第１項記載の「還元性を有する元素を含む雰囲気中において、半導体基板上に薄膜を堆積する工程」を「還元性を有する元素を含む雰囲気中において、表面に酸化膜を有する半導体基板上に前記元素を含む薄膜を堆積する工程」と訂正する。
２．訂正の適否
２．１ 訂正の目的の適否及び拡張・変更の存否
上記訂正事項については、訂正前の特許請求の範囲第１項記載の「還元性を有する元素を含む雰囲気中において、半導体基板上に薄膜を堆積する工程」を「還元性を有する元素を含む雰囲気中において、表面に酸化膜を有する半導体基板上に前記元素を含む薄膜を堆積する工程」とするものであるから、上記訂正事項は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
そして、特許明細書において「アニールによってシリコン基板１とシリコン３の界面、およびシリコン３の中に含まれる水素３は、シリコン基板１とシリコン３の界面に存在する酸化膜２の少なくとも一部を還元除去する」（本件特許明細書第５頁第１１行～同頁第１４行）と記載されていることからみて、還元性を有する元素を含む薄膜を堆積することが特許明細書から直接的に導き出せるものであるし、また、訂正前の各発明の目的の範囲内のものであるから、上記訂正事項は、実質上特許請求の範囲を変更するものでもない。
２．２ 独立特許要件の判断
付与後異議における異議中立人安藤純男が提出した、特間昭６１－１４１１１８号公報（以下、「甲第１号証」という。）、特開昭６１－１５８１７８号公報（以下、「甲第２号証」という。）、特開昭５９－１４３３１８号公報（以下、「甲第３号証」という。）及び特開昭５７－１３３６２６号公報（以下、「甲第４号証」という。）は、いずれも、訂正後の本件特許請求の範囲第１項に係る発明の特徴である、「還元性を有する元素を含む雰囲気中において、表面に酸化膜を有する半導体基板上に前記元素を含む薄膜を堆積する工程」（以下、「本件特許発明の特徴的構成」という。）についての構成を有しておらず、また上記本件特許発明の特徴的構成の示唆もない。そして、訂正後の本件特許請求の範囲第１項に係る発明は、上記本件特許発明の特徴的構成を有することにより、本件特許発明は、上記甲１～４号証のいずれからも導き出すことができない、半導体基板上の酸化膜の還元方法を開示するものであるから、本件特許請求の範囲第１項に係る発明が、甲第１～４号証に記載された発明に基づいて容易に発明できたものとすることができない。
よって、本件特許請求の範囲第１項に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができない発明とはいえない。
３．したがって、本件審判請求は、特許法１２６条１項ただし書１号に掲げる事項を目的とし、かつ、同条２～４項の規定に適合する。
よって、結論のとおり審決する。